抑制靜電放電干擾必須從兩個方面著手：避免產生靜電；切斷靜電放電電流途徑。靜電放電模擬器廠家下面介紹幾種抑制靜電放電干擾的措施：

(1)CMOS器件的防靜電方法。其一是輸入引腳不能浮空。如果輸入引腳浮空，在輸入引腳上很容易積累電荷。盡管CMOS器件的輸入端都有保護電路，靜電感應一般不會損壞器件，但很容易使輸入引腳電位處于0—1V間的過渡區(qū)域。這時反相器上、下兩個場效應管均會導通，使電路功耗大大增加。其二是設法降低輸入電阻，可以將輸入引腳與電源之間或與地之間接入一個負載電阻(1—10kO)，為靜電電荷提供泄流通路。其三是當用CMOS器件與長傳輸線連接時，應通過一個們rL緩沖門電路之后再與長傳輸線相連。

(2)環(huán)境濕度以維持在45％—65％為宜。因為靜電的生成與濕度有密切關系，環(huán)境越是干燥，越容易產生靜電。

(3)機房地板應使用絕緣性能差的材料，如盡量鋪設有導電性的塑料地板。

(4)檢驗設備時建議在操作臺上放置接地的金屬極，以使操作人員身上的靜電立刻入地。

(5)操作人員工作時，不可穿容易帶靜電的化纖衣服和鞋帽等。

(6)操作人員在工作時本身應有接地措施，如手腕上系戴金屬接地的鏈閡等。

(7)焊接元器件時，務必使用烙鐵頭接地的電烙鐵。其他設備、測試儀器及工具也應有良好接地措施。

(8)搬運、儲存及裝配作業(yè)過程中，應注意使CMOS器件的各個引腳保持相同電位，如用鋁箔包裝，或者放于有良好導電性的包裝袋或盒子中。

(9)若難以營造不易產生靜電的環(huán)境，則應從提高電子設備表面的絕緣能力著手。